據(jù)外媒報(bào)道稱，三星電子周二正式宣布，將投資170億美元在美國德州興建先進(jìn)制程的晶圓廠，強(qiáng)化美國半導(dǎo)體業(yè)。新廠地址選定為德克薩斯洲泰勒市，據(jù)了解，為了吸引三星建廠，泰勒市將在十年內(nèi)提供三星相當(dāng)于減稅92.5%的物業(yè)稅優(yōu)惠，接下來數(shù)十年優(yōu)惠將遞減。三星另將拿到其他的稅負(fù)優(yōu)惠。

三星電子這座新晶圓廠將落腳離奧斯汀48公里遠(yuǎn)的泰勒市。在奧斯汀，三星已設(shè)有晶圓廠區(qū)，員工逾3,000人。新廠將于明年上半年開始動(dòng)工，預(yù)計(jì)2024年開始投產(chǎn)。

但值得注意的是，三星此舉也與臺(tái)積電較勁的意味。三星選定德州設(shè)立新廠，且預(yù)定投資170億美元，金額高于臺(tái)積電在亞利桑那州的120億美元投資額，無疑是要大量投注在先進(jìn)制程技術(shù)，以縮短與臺(tái)積電差距。

依據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃，美國亞利那桑廠將提供5奈米制程服務(wù)，3奈米制程則在臺(tái)灣接單生產(chǎn)。但稍早臺(tái)積電總裁魏哲家在法說會(huì)，不排除在美國興建第二座晶圓廠，市場推測，臺(tái)積電已預(yù)留將制程推進(jìn)至3奈米的伏筆。不過，臺(tái)積電表示，不對(duì)競爭對(duì)手發(fā)展及美國廠技術(shù)布局做任評(píng)論，一切以公告為準(zhǔn)。

三星先進(jìn)制程的初期良率可能約在30%到40%，臺(tái)積電則可以到60%到70%。到大量生產(chǎn)階段，三星的良率也會(huì)低于臺(tái)積電。要大幅縮短目前與臺(tái)積電的差距不是簡單的事。

不論三星這項(xiàng)新建案或臺(tái)積電120億美元的亞利桑那州廠投資案，都不太可能在短期內(nèi)解決缺貨的問題。不過，這兩起投資案可引吸零件供應(yīng)商跟進(jìn)設(shè)廠，為以美國為中心的芯片生態(tài)系奠定根基。